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烟台太阳能发电中直拉硅单晶生长工艺过程八步

2018-02-02 01:09:13

  烟台太阳能发电中(zhong)直拉(la)硅单(dan)晶(jing)的(de)熔化就(jiu)是(shi)指在(zai)原料装(zhuang)完(wan)了以后将它融化在(zai)硅熔体中(zhong)。种晶(jing)又称“浸润”,在(zai)生(sheng)长是(shi)先会“烤晶(jing)”在(zai)做让(rang)原子温(wen)度(du)降(jiang)低,形成硅单(dan)晶(jing)。

  缩颈是(shi)指(zhi)去(qu)除表(biao)面(mian)的(de)(de)机械(xie)损(sun)伤的(de)(de)无位错籽晶(jing)。放(fang)肩(jian)是(shi)指(zhi)达到预定(ding)的(de)(de)晶(jing)体直径(jing)的(de)(de)时候,将(jiang)晶(jing)体的(de)(de)提升速度加(jia)快,并保持几(ji)乎固定(ding)的(de)(de)速度,此时让硅晶(jing)体保持固定(ding)的(de)(de)直径(jing)生长(zhang),此时的(de)(de)阶(jie)(jie)段称(cheng)为“等径(jing)”。收尾,顾(gu)名思义的(de)(de)就是(shi)快要结束时的(de)(de)阶(jie)(jie)段。冷却就是(shi)在收尾结束以后的(de)(de)一(yi)个步(bu)骤,也是(shi)最后一(yi)个步(bu)骤。

  在(zai)铸造(zao)多(duo)(duo)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)晶(jing)(jing)(jing)体生长(zhang)时,要(yao)(yao)解决的(de)(de)(de)主要(yao)(yao)问(wen)(wen)题(ti)包括(kuo)了以下几个:尽量均匀(yun)的(de)(de)(de)固(gu)液界面温度(du)(du);尽量小的(de)(de)(de)热应(ying)力;尽量大(da)的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)(jing)粒;尽可能少的(de)(de)(de)来自(zi)坩埚的(de)(de)(de)沾污(wu)。在(zai)凝固(gu)过(guo)程中,存(cun)在(zai)着温度(du)(du)梯度(du)(du)的(de)(de)(de)问(wen)(wen)题(ti),温度(du)(du)梯度(du)(du)越(yue)大(da),热应(ying)力就越(yue)大(da),会有错位甚至破裂(lie)的(de)(de)(de)现(xian)象(xiang)。铸造(zao)硅(gui)单(dan)晶(jing)(jing)(jing)生长(zhang)有两种方法:一种是(shi)直(zhi)拉硅(gui)单(dan)晶(jing)(jing)(jing)一种是(shi)铸造(zao)多(duo)(duo)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)。对(dui)于铸造(zao)烟台太(tai)阳能发电(dian)的(de)(de)(de)多(duo)(duo)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)而(er)(er)言,过(guo)去一直(zhi)认为晶(jing)(jing)(jing)粒越(yue)大(da)越(yue)好(hao),这样晶(jing)(jing)(jing)界的(de)(de)(de)面积和作用(yong)都可以减少,其对(dui)材料质量的(de)(de)(de)影响也(ye)最小。利(li)用(yong)定向凝固(gu)技术生长(zhang)的(de)(de)(de)铸造(zao)多(duo)(duo)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui),生长(zhang)速度(du)(du)慢,坩锅是(shi)消耗件(jian),不能重复(fu)循环使(shi)用(yong),即每(mei)一炉多(duo)(duo)晶(jing)(jing)(jing)硅(gui)就需要(yao)(yao)一件(jian)坩锅;而(er)(er)且,在(zai)晶(jing)(jing)(jing)锭的(de)(de)(de)底(di)部(bu)和上(shang)部(bu),各有几厘米 厚(hou)度(du)(du)的(de)(de)(de)区(qu)域由于质量低(di)而(er)(er)不能应(ying)用(yong)。

烟台太阳能发电中直拉硅单晶生长工艺过程八步骤
烟台(tai)太阳能发电中直(zhi)拉硅单晶生长工艺过程八步骤(zhou)

  为了克服这些缺点,电(dian)磁感(gan)应冷坩(gan)锅连续(xu)拉晶(jing)法已经被(bei)开发,简称 EMC 或 EMCP 法。其(qi)原(yuan)理就是利用电(dian)磁感(gan)应的(de)(de)冷坩(gan)锅来熔化硅原(yuan)料(liao),这种技术(shu)熔化和(he)凝固(gu)可(ke)以在不同(tong)部位(wei)同(tong)时进(jin)行(xing),节约生(sheng)产时间;而且,熔体和(he)坩(gan)锅不直(zhi)接接触,既没有(you)坩(gan)锅的(de)(de)消(xiao)耗,降低成本,又(you)减少了杂质污染(ran)长度(du),特别是氧浓度(du)和(he)金(jin)属杂质浓度(du)有(you)可(ke)能大(da)幅度(du)降低;。

  但是,这种技术也有弱点, 制备出铸造多晶硅的晶粒比较细小,约为3~5mm,而且晶粒大小不均匀。而且,晶体缺陷密度比较高,少数载流子寿命较低,相应的太阳电池效率也较低。只有进一步改善晶体制备技术和材料质量,这种烟台太阳能发(fa)电技术希望在(zai)今后才能(neng)在(zai)工业界广泛应用(yong)。